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EB-3601 三甲基三乙烯基环三硅氮烷 CAS 5505-72-6

EB-3601(三甲基三乙烯基环三硅氮烷,CAS 5505-72-6)乙烯基环硅氮烷,含三元环状结构,用于陶瓷前驱体镀膜、SiN/SiC 薄膜沉积及半导体等离子体工艺。广州依帕克斯厂家直供。

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CAS No.： 5505-72-6

更新日期： 2025-10-30

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产品概述

产品描述

EB-3601 的"环三硅氮烷"指由硅(Si)和氮(N)原子交替组成的六元环骨架,三个甲基(-CH₃)与三个乙烯基(-CH=CH₂)分别挂在三个硅原子上。在热解或等离子体作用下,环状 Si–N 骨架可转化为含硅碳氮的陶瓷膜层,使其成为陶瓷前驱体聚合物镀膜与 SiN/SiC 薄膜沉积的分子前驱体;同时它也是化工生产中的重要中间体,可用于工业原材料生产。

EB-3601(三甲基三乙烯基环三硅氮烷)键线式结构图 — EB-3601 化学结构式:[(CH₃)(CH₂=CH)Si—NH]₃(环三硅氮烷)

EB-3601 技术指标
化学名称	三甲基三乙烯基环三硅氮烷(Trimethyltrivinylcyclotrisilazane,简称 VTMS)
CAS No.	5505-72-6
分子式 / 分子量	C₉H₂₁N₃Si₃ / 255.54
结构特点	硅氮交替六元环,每个硅带 1 个甲基与 1 个乙烯基

※ 以上为典型值,批检数据以出厂 COA / SDS 为准。

应用领域

陶瓷前驱体镀膜:作为环状硅氮烷前驱体,经热解或等离子体转化获得 SiCN/SiN 陶瓷膜层,用于光学与结构部件的陶瓷涂层。
SiN/SiC 薄膜沉积:作为气相或溶液法沉积含硅薄膜的分子前驱体,用于半导体及微电子工艺。
半导体等离子体工艺:官网注明可用作半导体工业中的等离子体腐蚀剂。
化工生产中间体:用于工业原材料生产,合成其他硅氮烷及有机硅材料。

使用方法与添加量

溶液法镀膜:用甲苯等无水溶剂配成 0.5%~5% 的稀溶液,旋涂或浸渍成膜,在高纯氮气保护下于 300~800 ℃ 热解转化为陶瓷膜层;起步浓度建议从 1% 左右试起。

气相沉积:以惰性载气鼓泡或汽化引入沉积腔,沉积温度与时间按膜层工艺设定;全程保持系统干燥,防止水汽进入。

包装与储存

密封贮存于阴凉、通风、干燥处,防潮避光,远离水汽与酸碱;硅氮烷对水汽敏感,开封后建议充氮密封并尽快用完。标准包装:20KG 纸箱、25KG 塑料桶、200KG 铁桶或 IBC(按产品实际可选),可按客户要求提供其他规格。未开封常规有效期 12 个月。

常见问题(FAQ)

EB-3601 用于陶瓷前驱体镀膜时怎么操作?配比多少?

溶液法镀膜可将 EB-3601 用甲苯等无水溶剂配成 0.5%~5% 的稀溶液,旋涂或浸渍后在高纯氮气保护下于 300~800 ℃ 热解,转化为含硅碳氮的陶瓷膜层;气相工艺则以惰性载气汽化引入沉积腔。起步浓度建议从 1% 左右试起,依据膜厚与致密度逐步调整。

EB-3601 与 EB-3101、EB-2101、EB-999 这四个硅氮烷怎么选?

四者同属硅氮烷但骨架不同:EB-3601 为环状三硅氮烷(3 个硅、3 个氮组成六元环,各带 1 个甲基与 1 个乙烯基),无机产率高,适合陶瓷前驱体与等离子体工艺;EB-3101 为直链乙烯基二硅氮烷,用于光学镀膜交联与硅树脂合成;EB-2101 为直链四甲基二硅氮烷,主打表面疏水化;EB-999(HMDS)是经典光刻胶底涂增粘剂。